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IXFE 44N60
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
ISOPLUS-227 B
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V DS = 10 V; I D = I T , Note:1
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
R G = 1 ? (External),
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
30
8900
1000
330
42
55
110
45
330
60
65
0.07
45
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K/W
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Symbol
I S
I SM
Test Conditions
V GS = 0 V
Repetitive;
min.
typ.
max.
44
176
A
A
pulse width limited by T JM
V SD
t rr
Q RM
I F = I S , V GS = 0 V,
Note:1
I F = 50A, -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
1.4
1.3
250
V
ns
μ C
Please see IXFN44N60 data sheet
for characteristic curves.
I RM
Note: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
2. Test current I T = 22A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
8
A
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
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